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（原標題：電動車、新能源領(lǐng)域的需求急增 第三代半導(dǎo)體加速“上車”）

日本半導(dǎo)體材料大廠昭和電工近日宣布，其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的8英寸SiC 外延晶圓已開始進行樣品出貨。昭和電工表示，和原先使用硅晶圓的功率半導(dǎo)體相比，SiC功率半導(dǎo)體的電力損耗更少、更不易發(fā)熱，來自電動車、再生能源領(lǐng)域的需求急增。

SiC半導(dǎo)體性能優(yōu)異，其禁帶寬度是硅的3倍，擊穿電壓是硅的8-10倍，導(dǎo)熱率是硅的3-5倍，電子飽和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求，是制作高溫高頻、大功率高壓器件的理想材料之一。券商人士分析指出，未來隨著大直徑襯底占比提升、襯底和外延晶片質(zhì)量提高、單晶平均可用厚度持續(xù)增加以及擴產(chǎn)導(dǎo)致規(guī)模效應(yīng)增大，SiC產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)成本有望持續(xù)降低，并實現(xiàn)對于下游領(lǐng)域的加速滲透。

據(jù)財聯(lián)社主題庫顯示，相關(guān)上市公司中：

天岳先進在半絕緣SiC襯底的市場占有率連續(xù)三年保持全球前三，公司日前與客戶簽訂了預(yù)計金額13.93億元的長期協(xié)議。

露笑科技表示，碳化硅襯底片現(xiàn)在已經(jīng)在連續(xù)供貨，目前每個月可供1000片左右，預(yù)計到今年年底可以實現(xiàn)5000片/月的供貨能力，在價格方面，預(yù)計1-2年內(nèi)難以下跌，甚至可能上漲。

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